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128层闪存:中国刚刚突破、SK海力士加速量产

时间:2020-05-17 20:35    来源:未知    阅读:

长江存储近日宣布,已经攻克128层堆叠3D QLC闪存技术,单颗容量做到1.33Tb,创造单位面积存储密度、I/O传输速度、单颗芯片容量三个世界第一,首次跻身全球第一队列水平。

当前,整个闪存行业都在全面转向100+层堆叠,其中东芝、西部数据是112层,美光、SK海力士是128层,三星是136层,Intel则做到了144层。

的突破显然让国际巨头们有些不安,纷纷开始提速。三星日前就宣布,正在研发160层及以上的3D闪存,将成为第七代V-NAND闪存的基础。

在今天的第一季度财务会议期间,同样来自韩国的SK海力士也确认,将会加速推进128层3D闪存在今年第二季度投入大规模量产。

SK海力士目前的闪存主力是96层堆叠,128层技术遭在去年年中就已经宣布,支持TLC、QLC两种闪存类型,当时号称堆叠密度、容量密度都是最高,单颗芯片容量1Tb(128GB),集成超过3600亿个闪存单元。

SK海力士在去年底开始小批量出货128层闪存,今年初的CES上还展示了两款使用这种闪存的高端SSD,型号分别为Gold P31、Platinum P31,都是M.2 22110形态,采用自家主控,持续读写最高3.5GB/s、3.2GB/s,最大写入寿命2TB/1500TBW。

接下来,SK海力士还会冲击176层闪存。

长江存储的128层闪存未透露具体量产时间,只说在今年晚些时候。对此大家也不必过于苛求,认为长江存储只会讲PPT、量产太慢之类的。

一方面,从攻克技术到投入量产,任何厂商都需要一定的时间,SK海力士的128层闪存可是去年年中就宣布了,现在仍未大规模量产,前后耗时将近一年,长江存储即便到今年第四季度量产也不比这慢。

另一方面,我们在半导体行业的底子薄是有目共睹的,长江存储能从64层跨越发展到128层,从落后一代到比肩一流,这本身就堪称奇迹。

要不然,三星、SK海力士为何会纷纷表态要加速呢?

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标签: NAND 闪存 SK海力士 长江存储 128层

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