当前位置: 主页 > 科技生活 >

ARM牵手GF格芯:成功流片12nm高性能3D芯片

时间:2019-08-09 21:13    来源:未知    阅读:

3D闪存已然成为SSD产品线中的主要技术流派,现在看来,ARM芯片也要朝这个方向发展。

GlobalFoundries (GF,格芯)本周宣布,成功基于自家的12nm FinFET工艺(12LP)流片了高性能的ARM 3D芯片。

格芯称,此次突破意味着能效更优秀的高密度移动芯片、无线芯片、AI/ML解决方案成为可能。

3D芯片说白了相当于盖楼,它不仅可以减少芯片面积,还能提高内部的互联速度,减少延迟。去年,Intel首次对外公开了自家的Fevoros 3D堆叠芯片技术,AMD更是从率先应用HBM显存开始就表现出对2.5D/3D封装的浓厚兴趣。

虽然格芯遗憾退出了7nm节点,但12nm相当成熟稳定,也许对于做3D芯片可以减少很多未知问题。

(注:本文来自互联网,不代表本站的观点和立场,如侵犯了您的权益,请您告知,邮件2790325351@qq.com联系我们删除,谢谢。)

标签: ARM GF 3D芯片

最新文章

·高通证实已获得对华为供货4G芯片许可:

·iPhone 12换机微信迁移太慢遭吐槽 网友

·乐高发布史上最大套装“罗马斗兽场”:

·真香!拼多多百亿补贴 iPhone 12 mini

·DXO预告iPhone 12 Pro Max摄像头评测:

·网飞续订《太空军》第二季

·拼多多股价大涨近13% 市值超1800亿美元

·300万宾利加错95号汽油 车主怒扇加油员

热点文章

·2016年《我国互联网络发展状况统计报告

·我国联通推出国际及港澳台包天流量套餐

·299元4G全网通 小米随身路由紫米MF855

·Moto360和Ticwatch对比评测

·小牛N1电动车入手开箱细节图组

·公牛小白插线板与小米插线板对比评测

·千元指纹手机 纽曼CM810|纽曼纽扣手机

·华为荣耀7i手机详细评测:自拍神器可翻